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據(jù)IDC全球半導(dǎo)體行業(yè)報(bào)告，預(yù)計(jì)2025年全球半導(dǎo)體收入將達(dá)到8000億美元，較2024年的6800億美元同比增長(zhǎng)17.6%。

為了追求更高性能、更低功耗和更小尺寸，先進(jìn)封裝已進(jìn)入了3D堆疊封裝時(shí)代。芯片被像高樓一樣堆疊起來(lái)，內(nèi)部的連接點(diǎn)（如硅通孔TSV、微凸點(diǎn)μBump）完全被遮擋。能夠“透視”這些多層結(jié)構(gòu)并進(jìn)行無(wú)損檢測(cè)的成熟技術(shù)——X射線。

開(kāi)放式X射線源（以下簡(jiǎn)稱“開(kāi)管射線源”）具有焦點(diǎn)尺寸小、放大倍率高、成像效果好的特點(diǎn)，主要應(yīng)用于高精密工業(yè)檢測(cè)。納米級(jí)開(kāi)管射線源通過(guò)控制電子束，觀察芯片內(nèi)部深層缺陷，成為支撐半導(dǎo)體制造業(yè)繼續(xù)向更小、更復(fù)雜、更集成方向發(fā)展的關(guān)鍵質(zhì)控工具。

每一支成功的開(kāi)管射線源，都代表了在材料科學(xué)、真空物理、電子光學(xué)、精密機(jī)械和自動(dòng)控制等多個(gè)學(xué)科領(lǐng)域**技術(shù)的融合與突破。全球能獨(dú)立研發(fā)和生產(chǎn)高性能納米級(jí)開(kāi)放式X射線源的公司屈指可數(shù)，日聯(lián)科技攻克技術(shù)難點(diǎn)，成功研制出首款國(guó)產(chǎn)納米級(jí)開(kāi)管射線源。

日聯(lián)科技UNOS系列160kV開(kāi)放式射線源具備：

超高分辨率（0.8μm）、高穿透性（**管電壓160kV）、數(shù)字化控制（高效智能）

針對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)，解決晶圓凸塊 (Wafer Bump)、2.5D/3D 封裝、MEMS 制造、焊點(diǎn)連接等缺陷的高精度檢測(cè)難題。

焦點(diǎn)更小、功率更大、視野更廣

超高分辨率 超級(jí)放大

隨著電子半導(dǎo)體物理尺寸不斷縮小，三維空間的檢測(cè)需求也在持續(xù)滲透,混合鍵合（Hybrid Bonding）缺陷尺寸已進(jìn)入納米量級(jí)。

日聯(lián)科技自2012年就成立了基礎(chǔ)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，十年如一日，通過(guò)上千次實(shí)驗(yàn)、工藝調(diào)整，完成極其精密的電子光學(xué)系統(tǒng)搭建。

通過(guò)全自主研發(fā)的高精度恒流電源為磁透鏡和合軸線圈供電，有效控制電子束，成像效果好。

0.8μm分辨率、FOD＜0.3mm、2000X放大倍率

滿足更小尺寸、更高密度樣品的缺陷檢測(cè)需求（如：分析晶圓凸起橋接、Wafer內(nèi)部異物雜質(zhì)，識(shí)別堆疊芯片間的冷焊、HIP、錯(cuò)位，檢查元件對(duì)齊和焊料空洞等情況）。

超高穿透力 穩(wěn)定輸出

由于終端設(shè)備小型化、低功耗要求，傳統(tǒng)功率難以穿透芯片多層堆疊結(jié)構(gòu)（如硅襯底、金屬層、介電層等）觀測(cè)芯片內(nèi)部深層缺陷。

高穩(wěn)定電源:采用自主研發(fā)的高壓電源與恒流電源，確保卓越的輸出穩(wěn)定性。

實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè):管內(nèi)集成高精度真空計(jì)，實(shí)現(xiàn)真空度的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。

160kV電壓輕松穿透高集成芯片表層異質(zhì)材料，保障高壓發(fā)生器穩(wěn)定輸出，完成內(nèi)部深層缺陷檢測(cè)。

三種模式可調(diào) 完美適配

日聯(lián)科技基礎(chǔ)研發(fā)團(tuán)隊(duì)為解決“高功率”與“小焦點(diǎn)”之間的矛盾，設(shè)計(jì)高功率、微焦點(diǎn)、納焦點(diǎn)三種可調(diào)模式，讓用戶在“穿透力/亮度”與“極限分辨率”之間做出靈活權(quán)衡，滿足從微小芯片納米級(jí)缺陷到大型工業(yè)部件透視等各種靈活性檢測(cè)需求。

▲納焦點(diǎn)模式

通過(guò)將電子束盡可能地壓縮至極限，提供**的空間分辨率，滿足半導(dǎo)體封裝、高端材料科學(xué)、晶圓、精密器件檢測(cè)與分析需求。

▲微焦點(diǎn)模式

在分辨率和亮度之間取得最*平衡，廣泛應(yīng)用于電子制造（PCBA, SMT）、陶瓷封裝、輕金屬鑄件內(nèi)部結(jié)構(gòu)檢測(cè)。

▲高功率模式

具備強(qiáng)大的穿透能力，可以看清厚密物體，常用于金屬鑄件、焊接件、新能源電池、低反差樣品檢測(cè)。

日聯(lián)科技基礎(chǔ)研發(fā)團(tuán)隊(duì)自主設(shè)計(jì)的精密真空系統(tǒng)，保障密封性達(dá)到**。同時(shí)，設(shè)備采用高功率金剛石基透射靶，散熱更好，使用壽命更長(zhǎng)。

更智能、更便利

全數(shù)字化控制讓開(kāi)管射線源從一臺(tái)需要**工程師精心調(diào)教的“精密儀器”，變成了一個(gè)智能、可靠、易集成的“先進(jìn)核心部件”。

在全球制造業(yè)向智能化邁進(jìn)的浪潮中，高效率、智能化成為現(xiàn)代工業(yè)檢測(cè)和科研領(lǐng)域的迫切需求。

數(shù)字控制：集成全數(shù)字化控制軟件，簡(jiǎn)化操作流程，與整機(jī)裝備進(jìn)行安全互鎖，保障操作安全。

壽命管理：網(wǎng)頁(yè)端輸入設(shè)備ip地址（可定制移動(dòng)端查看），即可監(jiān)測(cè)射線源工作情況，便于燈絲壽命管理。

需求定制：支持多種客制化設(shè)計(jì)，靶材材質(zhì)、厚度可自由定制，滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景檢測(cè)需求。

自主化、標(biāo)準(zhǔn)化、產(chǎn)業(yè)化

1年理論調(diào)研、4年研發(fā)設(shè)計(jì)、1年調(diào)試......

日聯(lián)科技基礎(chǔ)研發(fā)團(tuán)隊(duì)通過(guò)對(duì)基礎(chǔ)理論、關(guān)鍵材料、復(fù)雜制備工藝等技術(shù)掌握，實(shí)現(xiàn)靶材鍍膜、焊接技術(shù)等全流程工藝可控，完成了國(guó)內(nèi)首款開(kāi)放式射線源技術(shù)自主與創(chuàng)新突破。UNOS系列160kV開(kāi)管射線源已經(jīng)形成標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)流程，實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)，奠定了日聯(lián)科技在工業(yè)檢測(cè)行業(yè)中的龍頭地位，在技術(shù)路線選擇和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)了更主動(dòng)的戰(zhàn)略地位。

目前，開(kāi)管射線源系列更多型號(hào)正在順利研發(fā)中，后續(xù)將陸續(xù)推出并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，助力解決納米級(jí)高精度世界各類物理性缺陷和損傷。

國(guó)產(chǎn)射線源的量產(chǎn)不僅滿足半導(dǎo)體、電子制造、新能源等領(lǐng)域?qū)Ω呔葯z測(cè)的迫切需求，更降低了工業(yè)檢測(cè)的成本與門檻，賦能智能制造產(chǎn)業(yè)升級(jí)。